PECVD镀膜代加工

等离子增强化学气相沉积PECVD镀膜代加工服务

PECVD薄膜产品技术指标

1、氮化硅

产品名称:

Si+SiNx薄膜

常规尺寸:

直径100±0.4mm 厚度0.500±0.025 mm

Si参数:

晶向:±0.5°;

掺杂类型:N型(掺磷、砷、锑)    P型(掺硼);

电阻率: 1-30   0.001-0.009

抛光:单抛;

Si3N4参数:

生长方法:low stress PECVD method

薄膜厚度:10nm~1000nm±1%

折射率:1.96-2.01

波导损耗:<4dB/cm

应力:0-100MPa张应力(根据膜厚)

腐蚀速率(BHF 10:1):<60nm/min

2、氧化硅

产品名称:

Si+SiO2薄膜

常规尺寸:

直径100±0.4mm 厚度0.500±0.025 mm

Si参数:

晶向:±0.5°;

掺杂类型:N型(掺磷、砷、锑)    P型(掺硼);

电阻率: 1-30   0.001-0.009

抛光:单抛;

SiO2参数:

生长方法: PECVD

薄膜厚度:10nm~5000nm±1%

折射率:1.46-1.50

应力:<300MPa

腐蚀速率(BHF 10:1):<350nm/min


加工价格

2000元/炉


服 务 商:
服务资质:
企业测试商
公司名称:
华中科大光电国家实验室
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